收藏本站
MTD6N15
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
24
3.6
20
10 V
9V
T J = 25 ° C
3.2
V DS = V GS
I D = 1 mA
16
12
8V
2.8
8
4
7V
6V
5V
2.4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
- 50
0 50 100
150
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On ? Region Characteristics
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Gate ? Threshold Voltage Variation
With Temperature
14
12
V DS = 10 V
T J = 25 ° C
2
1.6
V GS = 0 V
I D = 0.25 mA
10
8
6
4
100 ° C
1.2
0.8
2
- 55 ° C
0.4
0
4 6 8
10
0
- 50
0
50 100 150
200
0.30
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
2
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. Breakdown Voltage Variation
With Temperature
0.25
0.20
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
25 ° C
1.6
1.2
V GS = 10 V
I D = 3 A
0.15
0.10
0.05
- 55 ° C
0.8
0.4
0
0
4
8
12
16
20
0
- 50
0
50 100 150
200
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 6. On ? Resistance versus Drain Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. On ? Resistance Variation
With Temperature
http://onsemi.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MTD6N20ET4 MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
MTD6P10E MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
MTD8000N4-T PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
MTD8600N-T PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
MTD8600N4-T PHOTOTRANS 880NM DOME CLR TO-18
MTD8600T-T PHOTOTRANS 880NM FLAT CLR TO-18
MTD8600T4-T PHOTOTRANS 880NM FLAT CLR TO-18
MTE1081C INFRARED EMITTER 3MM 810NM
相关代理商/技术参数
MTD6N15T4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 150V 6A 300mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTD6N15T4GV 功能描述:MOSFET Single N-Ch 150V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTD6N20 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N D-PAK
MTD6N20E 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MTD6N20E1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MTD6N20ET4 功能描述:MOSFET 200V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTD6N20ET4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
MTD6N20ET5G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube